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標題: 聯電添第3座12吋廠 砸50億日圓 入股富士通子公司9.3% [打印本頁]

作者: iiifgh    時間: 2014-8-29 04:59 PM     標題: 聯電添第3座12吋廠 砸50億日圓 入股富士通子公司9.3%

聯電添第3座12吋廠 砸50億日圓 入股富士通子公司9.3%
2014/08/29 16:45 鉅亨網 記者趙曉慧 台北

聯電 (2303) 今天(29日)與日本富士通半導體(Fujitsu Semiconductor)共同宣布,聯電將投資50億日圓作為初期投資,取得富士通新成立的子公司約9.3%股份,這項合作案將使聯電在亞洲擁有第3座12吋晶圓廠。

富士通新成立的這一家子公司,將包含富士通於日本三重縣桑名市(Kuwana, Mie)的12吋晶圓廠,聯電將授權40奈米先進技術予富士通,結合富士通的低功耗製程與嵌入式記憶體技術,與聯電晶圓專工專業和先進製程技術。

聯華電子執行長顏博文表示,與富士通結盟,不僅減少建立新晶圓廠的時間、風險、成本,同時也可在聯電擁有的台灣與新加坡12吋晶圓廠之外,再添另1座12吋晶圓廠產能來源。

顏博文表示,3座遍及亞洲不同地區的12吋晶圓廠,可使2家公司都能取得服務客戶時的獨特優勢,滿足客戶希望降低製造風險的需求,像是日本的車用晶片製造商,這些高度要求供應商需具備健全營運持續計畫的客戶。

顏博文還說,聯電也能藉由與富士通的策略結盟,在日本市場獲得新的晶圓專工業務。

富士通半導體總裁岡田晴基表示,一直在尋找可將三重縣12吋晶圓廠共同運作為新晶圓專工公司的夥伴,富士通與聯電已達成結盟協議。2家公司已建立良好夥伴關係,此次雙方結盟必將有豐碩的成果。擁有廣泛多樣化的CMOS技術,專精的製程研發與移轉能力。

聯電將授權40奈米低耗電技術予富士通,增加該合資公司所提供的製程選擇,並提供資本以擴充其40奈米產能。

目前在富士通三重縣晶圓廠生產中的產品,將會由新公司製造並出貨給包含富士通在內的客戶。




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